保護IGBT的續(xù)流二極管的開關特性也受柵極電阻的影響，FZ2400R17KF6C-B2并限制柵極阻抗的*小值。這意味著IGBT的導通開關速度只能提高到一個與所用續(xù)流二極管反向恢復特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。通過使用特殊設計和優(yōu)化的帶軟恢復功能的CAL(可控軸向壽命)二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導通電流小。
柵極驅動電路的驅動器輸出級是一種典型的設計，采用了兩個按圖騰柱形式配置的MOSFET，如圖3所示。兩個MOSFET的柵極由相同的信號驅動。當信號為高電平時，N通道MOSFET導通，當信號為低電平時，P通道MOSFET導通，從而產生一個兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級可有一路或兩路輸出。根據輸出級有一路還是兩路輸出，可實現具有一個或兩個柵極電阻(導通，關斷)的用于對稱或不對稱柵極控制的解決方案。
柵極電阻的計算
對于低開關損耗，無FZ2400R17KF6C-B2模塊振蕩，低二極管反向恢復峰值電流和*大dv/dt限制，柵極電阻必須體現出*佳的開關特性。通常在應用中，額定電流大的IGBT模塊將采用較小的柵極電阻驅動;同樣的，額定電流小的IGBT模塊，將需要較大的柵極電阻。也就是說，IGBT數據手冊中所給的電阻值必須為每個設計而優(yōu)化。IGBT數據手冊中指定了柵極電阻值。然而，**的柵極電阻值一般介于IGBT數據表中所列的值和其兩倍之間。IGBT數據表中所指定的值是*小值;在指定條件下，兩倍于額定電流可被**地關斷。在實際中，由于測試電路和各個應用參數的差異，IGBT數據表中的柵極電阻值往往不一定是*佳值。上面提到的大概的電阻值(即兩倍的數據表值)，FZ2400R17KF6C-B2可被作為優(yōu)化的起點，以相應地減少柵級電阻值。確定*終**值的**途徑是測試和衡量*終系統。使應用中的寄生電感*小很重要。這對于保持IGBT的關斷過電壓在數據表的指定范圍內是必要的，特別是在短路情況下。柵極電阻決定柵極峰值電流IGM。增大柵極峰值電流將減少導通和關斷時間以及開關損耗。柵級峰值電流的*大值和柵級電阻的*小值分別由驅動器輸出級的性能決定。
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